Sistema de caracterización y verificación de parámetros reales en dispositivos semiconductores
Cargando...
Fecha
2024-11
Autores
Título de la revista
Publicado en
Publicado por
URL de la fuente
Enlace a contenidos multimedia
ISSN de la revista
Título del volumen
Resumen
En el desarrollo de sistemas electrónicos, componentes fundamentales como diodos, transistores y mosfets desempeñan un papel crucial. A menudo, el diseño se basa en las especificaciones de sus hojas de datos, sin embargo, los dispositivos físicos frecuentemente presentan variaciones que no coinciden con estos valores, lo cual puede impactar el rendimiento y la estabilidad del sistema diseñado.Se realizo un sistema de caracterización de parámetros eléctricos en dispositivos semiconductores, que incluyen diodos, transistores bipolares y mosfets, se introduce en el documento. El propósito concreto era medir y comprobar la exactitud de un grupo determinado de parámetros que se pueden evaluar en función de la variabilidad real de los dispositivos, en contraposición a los valores de lectura típicos en las hojas de datos. El sistema de medición midió el voltaje directo entre 0,2 y 4,6 V con una exactitud de 0,1 V, mientras que la ganancia de la corriente (Hfe o Spit) fue medida entre 50 y 300 con una precisión 1. El voltaje de saturación del colector-emisor en BJTs entre 0,1 y 3,3 V; voltaje del umbral gate-source en MOSFETs de canal N and P entre 1 y 5 V y -1 y -5 V respectivamente; la resistencia de activación (RDS) en MOSFETs, donde rango fue entre 1 MΩ a 1 Ω; voltaje directo en diodos Zener entre 3 y 12 V, con una exactitud de 0,1 V. En términos de interrupción de sobrecargas, el sistema implementó un limitador de corriente que, según la situación, evitaba sobrecargas en los elementos. El Sistema se controla desde un Stm 32 con su codigo en c++ para el control de cada subsistema creado en relacion a cada parametro que se visualizaria en consola , proporcionando una base válida para la evaluación de semiconductores en condiciones de uso.
Descripción
Abstract
In the development of electronic systems, fundamental components such as diodes, transistors, and MOSFETs play a crucial role. Design is often based on the specifications provided in their datasheets; however, physical devices frequently exhibit variations that do not match these values, which can impact the performance and stability of the designed system.A system for the characterization of electrical parameters in semiconductor devices, including diodes, bipolar transistors, and MOSFETs, is introduced in the document. The specific purpose was to measure and verify the accuracy of a certain group of parameters that can be evaluated based on the actual variability of the devices, as opposed to the typical reading values in the data sheets. The measurement system measured the forward voltage between 0.2 and 4.6 V with an accuracy of 0.1 V, while the current gain (Hfe or Spit) was measured between 50 and 300 with a precision of 1. The collector-emitter saturation voltage in BJTs was between 0.1 and 3.3 V; the gate-source threshold voltage in N and P channel MOSFETs was between 1 and 5 V and -1 and -5 V respectively; the on-state resistance (RDS) in MOSFETs, where the range was between 1 MΩ to 1 Ω; the forward voltage in Zener diodes was between 3 and 12 V, with an accuracy of 0.1 V. In terms of overload protection, the system implemented a current limiter that, depending on the situation, prevented overloads on the elements. The system is controlled from an Stm 32 with its C++ code for the control of each created subsystem in relation to each parameter that would be displayed on the console, providing a valid basis for the evaluation of semiconductors under conditions of use.
Palabras clave
Sistemas electrónicos, Diodos, Transistores, MOSFETs, Hojas de datos, Parámetros eléctricos, Dispositivos semiconductores, Voltaje directo, Voltaje de saturación colector-emisor, Voltaje umbral gate-source en mosfets, Resistencia drain source de activacion, Voltaje zenner
Keywords
electronic systems, Diodes, Transistors, MOSFETs, Datasheets, Electrical parameters, Semiconductor devices, Forward voltage, Collector-emitter saturation voltage, Gate-source threshold voltage in MOSFETs, Drain-source on-resistance, Zener voltage