Diseño de sistema de medición de parámetros reales en diodos

dc.contributor.advisorAngarita Lores, Carlos Eduardo
dc.contributor.advisorSabogal Gomez, Ernesto
dc.contributor.authorDíaz Arévalo, Arnold Andrés Felipe
dc.contributor.authorRobayo Acosta, Daniel Felipe
dc.date.accessioned2024-12-03T15:10:22Z
dc.date.available2024-12-03T15:10:22Z
dc.date.issued2024-11
dc.description.abstractEste proyecto aborda el problema de la dependencia exclusiva de los valores nominales proporcionados en los datasheets para diodos y transistores, los cuales pueden no reflejar con precisión su comportamiento real debido a factores como tolerancias de fabricación, condiciones ambientales y envejecimiento. Para solucionar esta limitación, se diseñó un sistema de medición capaz de obtener parámetros reales y críticos de estos dispositivos, como la tensión umbral en diodos, la ganancia de corriente en transistores BJT, el voltaje Gate-Source y la resistencia Drain-Source en encendido de transistores MOSFET. El sistema integra módulos que cumplen con los rangos y resoluciones necesarios para garantizar mediciones confiables y precisas en condiciones reales de operación. Entre las principales conclusiones, se destaca que el diseño propuesto permite caracterizar los componentes de forma más precisa que los valores teóricos, facilitando su integración en aplicaciones electrónicas. Además, se logró cumplir con los requerimientos establecidos, proporcionando una herramienta que contribuye al diseño de circuitos más estables y eficientes, mejorando la confiabilidad de los sistemas que dependen de dispositivos semiconductores. Este diseño representa un avance significativo hacia la mejora de la caracterización y el ajuste de componentes electrónicos en entornos prácticos.
dc.description.abstractenglishThis project addresses the problem of exclusive dependence on the nominal values provided in datasheets for diodes and transistors, which may not accurately reflect their actual behavior due to factors such as manufacturing tolerances, environmental conditions and aging. To solve this limitation, a measurement system was designed to obtain real and critical parameters of these devices, such as the threshold voltage in diodes, the current gain in BJT transistors, the Gate-Source voltage and the Drain-Source resistance in MOSFET transistors. The system integrates modules that meet the necessary ranges and resolutions to guarantee reliable and accurate measurements under real operating conditions. Among the main conclusions, it is highlighted that the proposed design allows characterizing the components more accurately than the theoretical values, facilitating their integration in electronic applications. In addition, the established requirements were met, providing a tool that contributes to the design of more stable and efficient circuits, improving the reliability of systems that depend on semiconductor devices. This design represents a significant advance towards improving the characterization and adjustment of electronic components in practical environments.
dc.description.degreelevelPregradospa
dc.description.degreenameIngeniero Electrónicospa
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.identifier.instnameinstname:Universidad El Bosquespa
dc.identifier.reponamereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquespa
dc.identifier.repourlrepourl:https://repositorio.unbosque.edu.co
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12495/13543
dc.language.isoes
dc.publisher.facultyFacultad de Ingenieríaspa
dc.publisher.grantorUniversidad El Bosquespa
dc.publisher.programIngeniería Electrónicaspa
dc.relation.references[1] Texas Instruments, "LM317 Adjustable Regulator Datasheet", [Online]. Disponible en: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf
dc.relation.references[2] Electrónobas, "Cálculo y medición de parámetros en diodos", [Online]. Disponible en: https://electronoobs.com/eng_circuitos_tut52.php
dc.relation.references[3] Digi-Key, "Analog-to-Digital Converters (ADC) Overview", [Online], Disponible en: https://www.digikey.com/en/products/filter/analog-to-digital-converters-adc/700?s=N4IgTCBcDaIIYBMDGIC6BfIA
dc.relation.references[4] Electronic Wings, "ADC en Arduino", [Online], Disponible en: https://www.electronicwings.com/arduino/adc-in-arduino
dc.relation.references[5] Digi-Key, "Microcontrollers", [Online], Disponible en: https://www.digikey.com/en/products/filter/microcontrollers/685
dc.relation.references[6] Texas Instruments, "OPA134 Low Noise Operational Amplifier Datasheet", [Online], Disponible en: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/opa134.pdf
dc.relation.references[7] Hetpro Store, "Análisis de transistor BJT", [Online], Disponible en: https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/#:~:text=El%20transistor%20se%20encuentra%20en%20saturaci%C3%B3n%20cuan-do%20el%20voltaje%20colector,colector%20ICsat%3DVCC%2FRC.&text=Para%20RC%3DVCC%2FICsat%3D,12V%2F250mA%3D48%20Ohms
dc.relation.references[8] A. G. Electrónica, "Electrónica básica: Diodos", Agelectronica.blog, 28 de mayo de 2019. [Online]. Disponible en: https://agelectronica.blog/2019/05/28/electronica-basica-dio-dos/#:~:text=Voltaje%20de%20conducci%C3%B3n%20directa%20(Vf,al%20potencial%20de%20la%20barrera
dc.relation.references[9] Quora, "Cálculo de VCE en un transistor", [Online], Disponible en: https://es.quora.com/C%C3%B3mo-puedo-calcular-el-VCE-en-un-transistor
dc.relation.references[10] Vishay, "AN957 - Power MOSFET Selection", [Online], Disponible en: https://www.vishay.com/docs/90715/an957.pdf
dc.relation.references[11] Mouser Electronics, "AD5262BRUZ50-RL7 - Digital Potentiometer", [Online], Disponible en: https://co.mouser.com/ProductDetail/Analog-Devices/AD5262BRUZ50-RL7?qs=NmRFExCfTkEd8%252BdKnouVHA%3D%3D
dc.relation.references[12] Mouser Electronics, "AD5293BRUZ-100 Digital Potentiometer", [Online], Dis-ponible en: https://co.mouser.com/ProductDetail/Analog-Devices/AD5293BRUZ-100?qs=NmRFExCfTkHFofXC2sG6AQ%3D%3D
dc.relation.references[13] Digi-Key, "AD5291BRUZ-100 Digital Potentiometer", [Online], Disponible en: https://www.digikey.com.mx/es/products/detail/analog-devices-inc/AD5291BRUZ-100/13574211
dc.relation.references[14] Mouser Electronics, "MAX5481EUD+T - Digital Potentiometer", [Online], Dis-ponible en: https://co.mouser.com/ProductDetail/Analog-Devices-Maxim-Integra-ted/MAX5481EUD+T?qs=CDqwynd4ZNqETatX4OgoXg%3D%3D&srsltid=AfmBOoryRGcNahM5FIBZdGI9PS6jgWrK-K18jkd4R_dXlSGh8PT5JR4u
dc.relation.references[15] Mouser Electronics, "MAX5496ETE+T - Digital Potentiometer", [Online], Dis-ponible en: https://co.mouser.com/ProductDetail/Analog-Devices-Maxim-Integra-ted/MAX5496ETE+T?qs=CDqwynd4ZNojuYXhdvDiiQ%3D%3D&srsltid=AfmBOoocV9KwZV_ZlOtxQ6epPovNBgZDH--vy7VJTwXzWIJpeR_XV7mx
dc.relation.references[16] Texas Instruments, "OPA134 Low Noise Operational Amplifier Datasheet", [Online], Disponible en: https://www.ti.com/lit/ml/slyy054/slyy054.pdf
dc.relation.references[17] "El alfa y la beta del transistor BJT", Radioelectrónica, 2023. [Online]. Disponi-ble en: https://www.radioelectronica.es/articulos-teoricos/172-el-alfa-y-la-beta-del-transistor-bjt
dc.relation.references[18] "Comprehensive Guide to HFE in Transistors", All Elco Electronics Blog, 2023. [Online]. Disponible en: https://www.allelcoelec.es/blog/comprehensive-guide-to-hfe-in-transistors.html#9
dc.relation.references[19] "La tolerancia de fabricación e incertidumbre de análisis", Air Liquide, 2023. [Online]. Disponible en: https://es.airliquide.com/soluciones/calibracion/la-tolerancia-de-fabricacion-e-incertidumbre-de-analises
dc.relation.references[20] "¿Cómo se fabrican los semiconductores? Proceso detallado", Fabricación Indus-trial, 2023. [Online]. Disponible en: https://fabricacionindustrial.com/como-se-fabrican-semiconductores-proceso-detallado/
dc.relation.references[21] "Apunte diodo Zener", Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires, 2014. [Online]. Disponible en: https://materias.df.uba.ar/labo3aa2014c1/files/2014/04/Apunte-diodo-zener-1344535622.pdf
dc.relation.references[22] "What is Gate Threshold Voltage of a MOSFET?", EverythingPE, 2024. [Online]. Disponible en: https://www.everythingpe.com/community/what-is-gate-threshold-voltage-of-a-mosfet
dc.relation.references[23] "Transistores MOSFET", uElectronics, 2024. [Online]. Disponible en: https://uelectronics.com/transistores-mosfet/?srsltid=AfmBOoqLpjjd7b8cxmnufIspULA6gBeROrpC_LzWqrWsyfOaL-UyJyRw
dc.relation.references[24] I. Lita, M. Jurian, D. A. Visan, S. Oprea and I. B. Cioc, "Microcontroller based tester for semiconductor devices", 2008 31st International Spring Seminar on Electronics Technology, Budapest, Hungary, 2008, pp. 117-120.
dc.rightsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacionalen
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.accessrightshttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/
dc.rights.localAcceso abiertospa
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.subjectDiodo
dc.subjectTransistor
dc.subjectMedición
dc.subjectParámetros
dc.subjectCircuitos
dc.subject.ddc621.381
dc.subject.keywordsDiode
dc.subject.keywordsTransistor
dc.subject.keywordsMeasurement
dc.subject.keywordsParameters
dc.subject.keywordsCircuits
dc.titleDiseño de sistema de medición de parámetros reales en diodos
dc.title.translatedDesign of a system to measure real parameters in diodes
dc.type.coarhttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.coarversionhttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.type.hasversioninfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.type.localTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradospa

Archivos

Bloque original
Mostrando 1 - 1 de 1
Cargando...
Miniatura
Nombre:
Trabajo de grado.pdf
Tamaño:
2.82 MB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Bloque de licencias
Mostrando 1 - 3 de 3
No hay miniatura disponible
Nombre:
license.txt
Tamaño:
1.95 KB
Formato:
Item-specific license agreed upon to submission
Descripción:
No hay miniatura disponible
Nombre:
Anexo 1 Acta de grado.pdf
Tamaño:
375.56 KB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Descripción:
No hay miniatura disponible
Nombre:
Carta de autorizacion.pdf
Tamaño:
205.26 KB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Descripción: