Puerto Acosta, Jorge AndrésSabogal Gomez, ErnestoClaro Julio, Angie Paola2024-12-032024-12-032024-11https://hdl.handle.net/20.500.12495/13544Este proyecto se enfocó en el diseño y simulación de un sistema de medición para evaluar parámetros fundamentales de componentes semiconductores, con el fin de reducir las discrepancias entre los valores especificados en los datasheets y los obtenidos en la práctica. Estas discrepancias representan un problema crítico en la industria electrónica, afectando tanto a estudiantes como a sistemas de alta confiabilidad en aplicaciones como la aviación y la medicina. Entre las causas de estas variaciones se encuentran la falsificación de componentes, los defectos de fabricación, las condiciones de operación y la deficiencia en la calidad de componentes descontinuados. Estos factores pueden provocar que los valores reales de los parámetros no coincidan con los especificados, comprometiendo la seguridad y el rendimiento de los sistemas electrónicos. El sistema propuesto en este proyecto mide los siguientes parámetros: el voltaje directo (𝑉𝑓) de un diodo, la ganancia de corriente DC (𝐻𝑓𝑒/𝛽) de un transistor bipolar, el voltaje colector-emisor de saturación (𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)) en transistores BJT, el voltaje umbral puerta-fuente (𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ)) en transistores MOSFET, la resistencia de encendido (𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)) en MOSFET y el voltaje de ruptura (𝑉𝑧) en diodos Zener. Las especificaciones de medición para cada parámetro fueron las siguientes: un rango de 0.2V a 5.0V para 𝑉𝑓, de 50 a 1000 para 𝐻𝑓𝑒/𝛽, de 200mV a 4V para 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡), de 0 a 5V para 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) en canal N y de 0 a -5V en canal P, de 0.05 Ω a 1 Ω para 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) y de 3V a 18V para 𝑉𝑧. El sistema también presenta los resultados con una precisión de un decimal para voltajes, resistencias y corrientes, y con resoluciones específicas en cada medición. Los resultados obtenidos confirmaron que el sistema diseñado es capaz de realizar mediciones precisas, manteniendo un margen de error dentro de los límites establecidos, y proporcionando así una herramienta confiable para evaluar la autenticidad y calidad de los componentes semiconductores.application/pdfesAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 InternacionalDispositivo semiconductorMedición de parámetrosTransistoresDiodosVoltaje de umbral621.381Tesis/Trabajo de grado - Monografía - PregradoSemiconductor deviceParameter measurementTransistorsDiodesThreshold voltageinstname:Universidad El Bosquereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquerepourl:https://repositorio.unbosque.edu.coAcceso abiertoinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/