Angarita Lores, Carlos EduardoSabogal Gomez, ErnestoDíaz Arévalo, Arnold Andrés FelipeRobayo Acosta, Daniel Felipe2024-12-032024-12-032024-11https://hdl.handle.net/20.500.12495/13543Este proyecto aborda el problema de la dependencia exclusiva de los valores nominales proporcionados en los datasheets para diodos y transistores, los cuales pueden no reflejar con precisión su comportamiento real debido a factores como tolerancias de fabricación, condiciones ambientales y envejecimiento. Para solucionar esta limitación, se diseñó un sistema de medición capaz de obtener parámetros reales y críticos de estos dispositivos, como la tensión umbral en diodos, la ganancia de corriente en transistores BJT, el voltaje Gate-Source y la resistencia Drain-Source en encendido de transistores MOSFET. El sistema integra módulos que cumplen con los rangos y resoluciones necesarios para garantizar mediciones confiables y precisas en condiciones reales de operación. Entre las principales conclusiones, se destaca que el diseño propuesto permite caracterizar los componentes de forma más precisa que los valores teóricos, facilitando su integración en aplicaciones electrónicas. Además, se logró cumplir con los requerimientos establecidos, proporcionando una herramienta que contribuye al diseño de circuitos más estables y eficientes, mejorando la confiabilidad de los sistemas que dependen de dispositivos semiconductores. Este diseño representa un avance significativo hacia la mejora de la caracterización y el ajuste de componentes electrónicos en entornos prácticos.application/pdfesAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 InternacionalDiodoTransistorMediciónParámetrosCircuitos621.381Tesis/Trabajo de grado - Monografía - PregradoDiodeTransistorMeasurementParametersCircuitsinstname:Universidad El Bosquereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquerepourl:https://repositorio.unbosque.edu.coAcceso abiertoinfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/