Evaluación de parámetros eléctricos en semiconductores mediante un sistema autónomo de medición
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2025-01
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Resumen
La incertidumbre sobre el estado funcional de diodos y transistores, así como la discrepancia entre los valores reportados por los fabricantes y el desempeño real de estos dispositivos, evidencia la necesidad de herramientas capaces de determinar con precisión sus parámetros reales. En respuesta a este desafío, se desarrolló un sistema autónomo diseñado para medir parámetros esenciales como el coeficiente Beta (β), el voltaje de conducción directa y el voltaje de ruptura en diodos, además del voltaje compuerta-fuente y la resistencia en estado de conducción en MOSFETs.
Este sistema incorpora funcionalidades avanzadas que aseguran mediciones precisas y confiables, dentro de rangos y resoluciones adecuadas para reflejar el comportamiento real de los componentes electrónicos. Durante su diseño, se implementaron módulos específicos que permiten identificar discrepancias frente a los valores nominales, mejorando así la caracterización de los dispositivos.
Una de las principales ventajas del sistema radica en su capacidad para evaluar semiconductores con alta precisión, facilitando su uso en aplicaciones electrónicas más confiables y eficientes. Aunque se identificaron algunas variaciones menores en ciertos parámetros, el proyecto representa un importante paso hacia la optimización de la medición de semiconductores. Este avance abre camino para futuras mejoras y la ampliación de su uso
en contextos industriales y académicos.
Descripción
Abstract
The uncertainty surrounding the functional state of diodes and transistors, as well as the discrepancy between manufacturer-reported values and the actual performance of these devices, Highlights the need for tools capable of accurately determining their real parameters. In response to this challenge, an autonomous system was developed to measure key parameters such as the Beta coefficient (β), forward voltage, and breakdown voltage in diodes, along with the gate-source voltage and on-state resistance in MOSFETs.
This system incorporates advanced functionalities that ensure precise and reliable measurements, within appropriate ranges and resolutions to reflect the actual behavior ofelectronic components. Specific modules were implemented during its design to identify discrepancies with nominal values, thereby improving device characterization.
One of the system's main advantages lies in its ability to evaluate semiconductors with high precision, facilitating their use in more reliable and efficient electronic applications.Although minor variations in certain parameters were identified, the project represents a significant step toward optimizing semiconductor measurement. This advancement paves the way for future improvements and the expansion of its use in industrial and academic contexts.
Palabras clave
Semiconductores, Coeficiente Beta, Voltaje de conducción directa, Diodos, Transistores, Voltaje de ruptura
Keywords
Semiconductors, Beta coefficient, Forward voltage, Diodes, Transistors, Breakdown voltage